國立中興大學科研產業化平台

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  • 專利名稱(中文) / 靜態隨機存取記憶體
  • 專利名稱(英文) / A Low Power SRAM Design with Segmented Stacking Technique
  • 所屬單位(一級單位) / 理學院
  • 所屬單位(二級單位) / 資訊科學與工程學系
  • 發明人(中文) / 張延任
  • 發明人(英文) /
  • 申請國家 / 中華民國
  • 專利類型 / 發明
  • 專利證書號 / I480871
  • 技術成熟度 / 實驗室階段

近幾年可攜式裝置越來越熱門,功率消耗變成一個很重要的議題,傳統的SRAM陣列不論是在待機或者運作模式下,功率消耗都有非常大的缺點。本發明利用分段的堆疊電晶體特性降低漏電流和動態功率消耗。本實驗使用台積電90奈米(TSMC-90nm)製程,實驗結果顯示在32乘32位元的SRAM陣列時,本發明比傳統SRAM在靜態時平均可省38.45%漏電流功率消耗以及在寫入時可減少52.12%功率消耗。


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