國立中興大學科研產業化平台

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  • 專利名稱(中文) / 製備金屬氮化物膜之方法
  • 專利名稱(英文) /
  • 所屬單位(一級單位) / 工學院
  • 所屬單位(二級單位) / 材料科學與工程學系
  • 發明人(中文) / 呂福興
  • 發明人(英文) /
  • 申請國家 / 中華民國
  • 專利類型 / 發明
  • 專利證書號 / I381058
  • 技術成熟度 / 量產

本發明是以物理氣相沈積法,利用空氣(air )取代純氮氣(N2),與氬氣(Ar)一起,在電漿環境下,控制不同的氬氣(Ar)與空氣(air)的比值,製備出金屬氮化物(MNx)薄膜,本發明能有效降低設備與製程成本,將使其金屬氮化物(MNx)薄膜應用更為廣泛。 以氮化鈦(TiNx)或氮化鋯(ZrNx)而言,在電漿環境下,背景壓力只需抽1~3分鐘,即可進行製備。而使用空氣(air)作為反應性氣體,以適當的air/Ar比例,所鍍著之薄膜,經X光繞射儀與特性檢定,確定能成功製備出氮化薄膜。


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