一種差動式非揮發性記憶體單元，包含用以儲存電荷的一第一電晶體及一第二電晶體、一用以控制該第一電晶體及該第二電晶體的通道電流的第三電晶體、用以耦合電壓的一第四電晶體及一第五電晶體。該第一電晶體、該第二電晶體及該第三電晶體是製作於一N型摻雜井上，該第四電晶體及該第五電晶體是製作於其它N型摻雜井上，該等電晶體是P型電晶體。該記憶體單元藉由碰穿效應產生熱載子注入的方式完成抹除操作，藉由累增崩潰產生熱載子注入的方式完成寫入操作，使得操作電壓差得以降低。