國立中興大學科研產業化平台

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  • 專利名稱(中文) / 製作高功率發光二極體的方法及其製品
  • 專利名稱(英文) / A method of making high power light emitting diode and the product made therefrom
  • 所屬單位(一級單位) / 工學院
  • 所屬單位(二級單位) / 材料科學與工程學系
  • 發明人(中文) / 武東星
  • 發明人(英文) /
  • 申請國家 / 中華民國
  • 專利類型 / 發明
  • 專利證書號 / I239662
  • 技術成熟度 / 實驗室階段

一種製作高功率發光二極體的方法,包含下列步驟:(A)提供一具有一磊晶體的藍寶石基板,及一具有一由可被一雷射光分解的材料所製成的中間膜的第一基板,第一基板是由可被雷射光穿透的材質所製成;(B)利用一貼合模黏合磊晶體及中間膜;c將藍寶石基板研磨達一小於50μm的預訂厚度;(D)利用雷射光照射第一基板裂解中間膜的材料,以分離第一基板及藍寶石基板;(E)以一蝕刻移除貼合膜。該方法可製作出一高功率發光二極體,包含:一具有一磊晶面及一相反磊晶面的背光而且一預度厚度小於50μm的藍寶石基板及一形成在藍寶石基板之磊晶面的磊晶體。


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