- 專利名稱(中文) / 磊晶基板的製造方法
- 專利名稱(英文) /
- 所屬單位(一級單位) / 工學院
- 所屬單位(二級單位) / 材料科學與工程學系
- 發明人(中文) / 武東星
- 發明人(英文) /
- 申請國家 / 中華民國
- 專利類型 / 發明
- 專利證書號 / I441241
- 技術成熟度 / 實驗室階段
一種磊晶基板的製造方法包含以下步驟:首先形成一圖樣化膜層於一基板上,並繼續形成一第一磊晶層,接著利用雷射破壞第一磊晶層對應位於基板上方的預定區域,進而形成一液化犧牲層於第一磊晶層與基板間,再自第一磊晶層磊晶形成一第二磊晶層,接續地蝕刻移除圖樣化膜層,弱化第一磊晶層的結構,以利蝕刻移除該第一磊晶膜,最後蝕刻移除液化犧牲膜,以將基板自第二磊晶膜剝離,有效提高移除效率。