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  • 專利名稱(中文) / 磊晶基板的製造方法
  • 專利名稱(英文) /
  • 所屬單位(一級單位) / 工學院
  • 所屬單位(二級單位) / 材料科學與工程學系
  • 發明人(中文) / 武東星
  • 發明人(英文) /
  • 申請國家 / 中華民國
  • 專利類型 / 發明
  • 專利證書號 / I397114
  • 技術成熟度 / 實驗室階段

一種磊晶基板的製造方法包含以下步驟:先形成一圖樣化膜層於一基板上,使基板露出部分預定區域,接著自基板側向磊晶形成一缺陷處呈週期性的第一磊晶層,然後塗佈光阻於第一磊晶層並以圖樣化膜層為光罩,將光阻圖樣化進而形成複數第一凹洞於第一磊晶層,利用複數阻擋塊填滿第一凹洞,再自第一磊晶層與阻擋塊共同構成的平面磊晶形成一第二磊晶層,接續蝕刻移除阻擋塊與該圖樣化膜層,弱化該第一磊晶層的結構,以利蝕刻移除第一磊晶膜並將基板自第二磊晶膜剝離,利用弱化結構的第一磊晶膜有效提高移除效率。


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