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  • 專利名稱(中文) / 金屬薄膜之物理氣相沉積方法
  • 專利名稱(英文) /
  • 所屬單位(一級單位) / 工學院
  • 所屬單位(二級單位) / 材料科學與工程學系
  • 發明人(中文) / 呂福興
  • 發明人(英文) /
  • 申請國家 / 中華民國
  • 專利類型 / 發明
  • 專利證書號 / I394855
  • 技術成熟度 / 實驗室階段

一種金屬薄膜之物理氣相沉積方法,可用以製備鈦、鋁與鈦鋁合金之金屬薄膜,其步驟包含有:於一密閉腔體內置入一基材,以及一由鈦、鋁或鈦鋁合金所製成之靶材,在該密閉腔體內抽真空達6.6×10-4~1.3Pa之背景壓力後,將空氣與氬氣以流量比6/100以下進行混合後的混合氣體通入該密閉腔體,在工作壓力1.3×10-2 Pa~1.3 Pa下,施加電壓於該基材與該靶材,即可於該基材之表面沉積形成金屬薄膜。由於本發明採用隨處可得的空氣,且背景壓力要求不高,具有設備簡單、製程快速、成本低廉等優點。


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