國立中興大學科研產業化平台

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  • 專利名稱(中文) / 具易移除犧牲層的磊晶結構及其製造方法
  • 專利名稱(英文) /
  • 所屬單位(一級單位) / 工學院
  • 所屬單位(二級單位) / 材料科學與工程學系
  • 發明人(中文) / 武東星
  • 發明人(英文) /
  • 申請國家 / 中國大陸
  • 專利類型 / 發明
  • 專利證書號 / 1696498
  • 技術成熟度 / 實驗室階段

一種具易移除犧牲層的磊晶結構的製造方法包含以下步驟:首先,製備一第一基板,接著,於該第一基板上形成一氧化鎵犧牲層,該氧化鎵犧牲層滿足GaOx,其中0.1


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