- 專利名稱(中文) / 具易移除犧牲層的磊晶結構及其製造方法
- 專利名稱(英文) / EPITAXIAL STRUCTURE AND METHOD FOR MAKING THE SAME
- 所屬單位(一級單位) / 工學院
- 所屬單位(二級單位) / 材料科學與工程學系
- 發明人(中文) / 武東星
- 發明人(英文) /
- 申請國家 / 美國
- 專利類型 / 發明
- 專利證書號 / US 8,680,554 B2
- 技術成熟度 / 實驗室階段
一種具易移除犧牲層的磊晶結構的製造方法包含以下步驟:首先,製備一第一基板,接著,於該第一基板上形成一氧化鎵犧牲層,該氧化鎵犧牲層滿足GaOx,其中0.1