- 專利名稱(中文) / 具蝕刻停止層的磊晶結構及其製造方法
- 專利名稱(英文) / INTERMEDIATE EPITAXIAL STRUCTURE AND METHOD FOR FABRICATING AN EPITAXIAL STRUCTURE
- 所屬單位(一級單位) / 工學院
- 所屬單位(二級單位) / 材料科學與工程學系
- 發明人(中文) / 武東星
- 發明人(英文) /
- 申請國家 / 中華民國
- 專利類型 / 發明
- 專利證書號 / I434329
- 技術成熟度 / 實驗室階段
一種具蝕刻停止層的磊晶結構的製造方法包含以下步驟:首先,於一第一基板上成長一圖樣化犧牲層,該第一基板部分面積露出,未受該圖樣化犧牲層遮蓋,接著,於該第一基板部分露出面積與圖樣化犧牲層上,側向磊晶成長一暫時磊晶層,而後,於該暫時磊晶層上成長一蝕刻停止層,再來,於該蝕刻停止層上成長一磊晶結構層,透過該蝕刻停止層形成於該磊晶結構層的下方,因此,後續在蝕刻移除該圖樣化犧牲層、該暫時磊晶層時,不至過度蝕刻該磊晶結構層,進而維持光電元件品質。