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  • 專利名稱(中文) / 磊晶用基板
  • 專利名稱(英文) /
  • 所屬單位(一級單位) / 工學院
  • 所屬單位(二級單位) / 材料科學與工程學系
  • 發明人(中文) / 武東星
  • 發明人(英文) /
  • 申請國家 / 中華民國
  • 專利類型 / 發明
  • 專利證書號 / I384535
  • 技術成熟度 / 實驗室階段

一種磊晶用基板包含一磊晶用的基材、一形成於基材的犧牲膜,及一磊晶形成於犧牲膜的半導體磊晶膜,犧牲膜包括複數膜區及複數由膜區界定的第一通道,每一膜區具有一奈米材料及複數由奈米材料界定的第二通道,濕式蝕刻劑藉由第一、第二通道得以快速地滲入犧牲膜中,進而快速蝕刻犧牲膜並有效地加速了移除基材的速率。


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