國立中興大學科研產業化平台

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  • 專利名稱(中文) / 磊晶用基板及其製作方法
  • 專利名稱(英文) / PATTERNED SUBSTRATE FOR EPITAXIALLY GROWING SEMICONDUCTOR MATERIAL, AND METHOD FOR PATTERNING A SUBSTRATE
  • 所屬單位(一級單位) / 工學院
  • 所屬單位(二級單位) / 材料科學與工程學系
  • 發明人(中文) / 武東星
  • 發明人(英文) /
  • 申請國家 / 美國
  • 專利類型 / 發明
  • 專利證書號 / US 9391235 B2
  • 技術成熟度 / 實驗室階段

一種磊晶用基板,包含一頂面,及複數自該頂面向下延伸的晶面,其中,每 n 個晶面構 成一角錐形的凹孔,n 是不小於 3 的正整數,每一凹孔的其中一晶面與頂面的連接線至另一 最相鄰凹孔的最相鄰晶面與頂面之連接線的間距不大於 500nm,當使用本發明進行磊晶 時,是自該等晶面成核後成長並聚集,而非於有應力殘留或缺陷存在的頂面開始成核、成 長,而可得到缺陷較少、晶體品質較佳的磊晶層體,進而提升以此磊晶用基板製作出的元件 的工作效能。


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