國立中興大學科研產業化平台

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  • 專利名稱(中文) / P-N串聯多晶矽開關及其製造方法
  • 專利名稱(英文) /
  • 所屬單位(一級單位) / 工學院
  • 所屬單位(二級單位) / 機械工程學系
  • 發明人(中文) / 戴慶良
  • 發明人(英文) /
  • 申請國家 / 中華民國
  • 專利類型 / 發明
  • 專利證書號 / I408813
  • 技術成熟度 / 實驗室階段

本發明提出一種P-N串聯多晶矽開關及其製造方法。先利用半導體技術製作多晶矽(polysilicon),再摻雜多晶矽成為串聯之P型及N型,使此多晶矽具有類似二極體般的能帶;導通時不加入偏壓,維持本身電阻;而關閉時加入逆偏壓, 則電阻無限大;即可作為一電阻開關,並應用於直流電與高頻等。


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