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  • 專利名稱(中文) / 堆疊晶片結構之訊號傳遞方式
  • 專利名稱(英文) / A method of signal transmission for the structure of stacking chip
  • 所屬單位(一級單位) / 工學院
  • 所屬單位(二級單位) / 機械工程學系
  • 發明人(中文) / 戴慶良
  • 發明人(英文) /
  • 申請國家 / 中華民國
  • 專利類型 / 發明
  • 專利證書號 / I456923
  • 技術成熟度 / 實驗室階段

一種堆疊晶片結構之訊號傳遞方式,該堆疊晶片結構係為工作於低頻,並且利用反應性離子蝕刻(Reactive-Ion Etching, RIE)來移除結構下方之矽基材(Si substrate)使其具有寄生效應(parasitic effect)以獲得相互堆疊的一下部傳輸晶片結構以及一上部接收晶片結構,並且利用磁偶合來做下部傳輸晶片結構及上部接收晶片結構兩者的訊號傳遞。


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