國立中興大學科研產業化平台

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  • 專利名稱(中文) / 光電元件的製造方法
  • 專利名稱(英文) /
  • 所屬單位(一級單位) / 工學院
  • 所屬單位(二級單位) / 材料科學與工程學系
  • 發明人(中文) / 武東星
  • 發明人(英文) /
  • 申請國家 / 中華民國
  • 專利類型 / 發明
  • 專利證書號 / I405353
  • 技術成熟度 / 實驗室階段

一種光電元件的製造方法,是先自一基材形成一犧牲膜,且犧牲膜包括複數與周緣連通的通道,接著自圖樣化的犧牲膜磊晶成長一光電半導體磊晶膜,並在光電半導體磊晶膜上貼覆一第一基板後,將蝕刻劑由周緣通入通道以蝕刻犧牲膜,使基材與光電半導體磊晶膜分離,由於在成長光電半導體磊晶膜前即完成通道的製作,以保持基板完整使其能重複使用,且省去多餘的貼合工時,並維持快速蝕刻移除犧牲膜的功效。


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