國立中興大學科研產業化平台

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  • 專利名稱(中文) / 垂直導通式發光二極體的製作方法及其製品
  • 專利名稱(英文) /
  • 所屬單位(一級單位) / 工學院
  • 所屬單位(二級單位) / 材料科學與工程學系
  • 發明人(中文) / 武東星
  • 發明人(英文) /
  • 申請國家 / 中華民國
  • 專利類型 / 發明
  • 專利證書號 / I460891
  • 技術成熟度 / 實驗室階段

垂直導通式發光二極體包含:磊晶基板、磊晶膜層結構、第一電極、反射層、第二電極層及散熱層。磊晶基板具第一、二板本體及鍵合於各板本體之第一表面間的黏結層。第一板本體具貫穿其第一表面及遠離黏結層的第二表面的內圍繞面。黏結層與第二板本體各具內環面。磊晶膜層結構形成於第二板本體之遠離黏結層的第二表面,並具導電性GaN層及內環面。內圍繞面與各內環面共同界定一空腔並裸露導電性GaN層於空腔外。第一電極形成於磊晶膜層結構。反射層覆蓋導電性GaN層。第二電極層覆蓋反射層、各內環面、內圍繞面及其第二表面。散熱層覆蓋第二電極層。


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