- 專利名稱(中文) / 製備金屬氮化物膜之方法
- 專利名稱(英文) / METHOD FOR FORMING METALLIC NITRIDE FILM
- 所屬單位(一級單位) / 工學院
- 所屬單位(二級單位) / 材料科學與工程學系
- 發明人(中文) / 呂福興
- 發明人(英文) /
- 申請國家 / 美國
- 專利類型 / 發明
- 專利證書號 / US 8,524,049 B2
- 技術成熟度 / 實驗室階段
一種製備金屬氮化物膜之方法,係先將一靶材與一基材置入一真空腔體中,該靶材係由鈦或鋯所製成;接著,再利用濺鍍法於該基材表面形成一金屬氮化物膜,該金屬氮化物膜係氮化鈦膜或氮化鋯膜,其中,真空腔體之工作壓力固定於5×10-4~5×10-2 torr,通入空氣與氬氣於該真空腔體中,空氣/氬氣之流量比為(5~15)/100,以一電源供應器提供輸出功率為100~5000 W之直流電,由於空氣之取得極為方便,且背景真空度之要求較習知方法為低,使本發明所提供之方法具有設備簡易、製程快速、成本低廉等優點。