- 專利名稱(中文) / 低介電常數材料及其衍生物之製造方法
- 專利名稱(英文) / MANUFACTURE OF LOW-DIELECTRIC MATERIALS AND DERIVATIVES
- 所屬單位(一級單位) / 工學院
- 所屬單位(二級單位) / 化學工程學系
- 發明人(中文) / 林慶炫
- 發明人(英文) /
- 申請國家 / 中華民國
- 專利類型 / 發明
- 專利證書號 / I382011
- 技術成熟度 / 實驗室階段
一系列以鑽石烷為基質之化合物，具有如式（I）所示之結構： （I） 其中A包含NO2、NH2；R1-R7分別選自於氫、碳數為1至6之烷基、碳數為1至6之氧烷基、碳數為3至7之環烷基、-CF3、-OCF3或鹵原子。
